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L. Lima(筑波大), Takeaki Sakurai(筑波大), Yuko Sugai(NIMS), Akihiko Ohi(NIMS), Takashi Aizawa(NIMS), Takao Mori(NIMS) 雑誌：Materials Today Energy 掲載日時：2022年6月18日, オンライン URL：https://doi.org/10.1016/j.mtener.2022.101075 用語解説 [1] 熱電変換 熱と電気を相互に直接変換する物理現象の総称。固体物質に温度差をつけることで、電圧（熱起電力）が発生する現象（ゼーベック効果）を利用して電気エネルギーを取り出すことができます。ゼーベック効果は古くから知られている物理現象で、昨年2021年はゼーベック効果発見（1821年）から数えてちょうど200周年でした。[参照元へ戻る] [2] エネルギーハーベスティング 種々の形態で存在する密度の低いエネルギー（例えば、熱エネルギー、光エネルギー、振動エネルギー等）を、電気エネルギーに変換して有効利用を促す技術の総称。[参照元へ戻る] [3] 微細加工技術、半導体微細加工技術 µm（マイクロメートル、10-6 m）からnm（ナノメートル、10-9 m）サイズで物質に加工を施す技術の総称。主にLSI（大規模集積回路）等の半導体素子の作製で用いられています。本研究では、フォトリソグラフィとドライエッチングの微細加工技術を用いて、熱電素子を作製しました。[参照元へ戻る] [4] π接合、π型熱電素子 電圧を増幅させるために、p型熱電半導体とn型熱電半導体が金属電極を介して接合した、熱電変換モジュールや素子における接合構造のことを示しています。熱電変換モジュールや熱電素子に用いられている最も一般的な接合です。[参照元へ戻る] [5] II–IV族化合物熱電半導体 短周期律表上のII族元素とIV族元素で構成された化合物熱電半導体。主にマグネシウム（Mg, II族元素）を含むMg2X（X=Si、Ge、Sn）系の熱電半導体を示します。希少元素や毒性を含む元素を含んでいないことから、低コスト・低環境負荷の熱電変換材料として着目されています。[参照元へ戻る] [6] 分子線エピタキシー、エピタキシャル薄膜 超高真空中で薄膜原料を気化させて、原子レベルで制御しながら薄膜を成長させる手法。高い結晶配向性の薄膜（エピタキシャル薄膜）の作製が可能。[参照元へ戻る] [7] フォトリソグラフィ 感光性物質（フォトレジスト）を塗布した薄膜等の物質の表面を、所望のパターン形状に露光することで、微細パターンを作り出す技術。半導体等を用いた電子素子を作製するための微細加工プロセスの要素技術の１つです。[参照元へ戻る] [8] ドライエッチング 反応性の気体（エッチングガス）やイオン、ラジカルによって物質をエッチングする方法で、半導体等を用いた電子素子を作製するための微細加工技術で用いられている手法。一般的に、フォトリソグラフィと組み合わせて利用されます。[参照元へ戻る] お問い合わせお問い合わせフォーム 産総研について アクセス 調達情報 研究成果検索 採用情報 報道・マスコミの方へ メディアライブラリー お問い合わせ English ニュース お知らせ一覧 研究成果一覧 イベント一覧 受賞一覧 研究者の方へ はじめての方へ 研究成果検索 研究情報データベース お問い合わせ 採用情報 ビジネスの方へ はじめての方へ 研究成果検索 事例紹介 協業・提携のご案内 お問い合わせ AIST Solutions 一般の方へ はじめての方へ イベント情報 スペシャルコンテンツ 採用情報 お問い合わせ 記事検索 産総研マガジンとは 公式SNS @AIST_JP 産総研チャンネル 公式SNS @AIST_JP 産総研 チャンネル サイトマップ このサイトについて プライバシーポリシー 個人情報保護の推進 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Copyright © National Institute of Advanced Industrial Science and Technology （AIST） （Japan Corporate Number 7010005005425）. 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